中新社成都4月11日電(記者 賀劭清)記者11日從電子科技大學獲悉，中韓科研人員首創(chuàng)高遷移率穩(wěn)定的非晶P型(空穴)半導體器件，突破該領(lǐng)域二十余年的研究瓶頸。這一在新型半導體材料和器件領(lǐng)域取得的重大突破，將進一步推動現(xiàn)代信息電子學和大規(guī)?；パa金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)的發(fā)展。

　　這一研究成果以《Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors》為題，于北京時間10日23時在權(quán)威期刊《Nature》以加速預覽形式(Accelerated Article Preview)在線發(fā)表。該成果由中國電子科技大學和韓國浦項科技大學共同合作完成。論文第一單位為電子科技大學基礎(chǔ)與前沿研究院，電子科技大學基礎(chǔ)與前沿研究院教授劉奧為論文第一作者和通訊作者。

　　相比于多晶半導體，非晶體系具有諸多優(yōu)勢，如低成本、易加工、高穩(wěn)定性以及大面積制造均勻等。然而，傳統(tǒng)的非晶氫化硅因電學性能不足而急需探索新材料。

　　目前非晶P型半導體面臨著重大挑戰(zhàn)，嚴重阻礙了新型電子器件研發(fā)和大規(guī)模N-P互補金屬氧化物半導體技術(shù)的發(fā)展。傳統(tǒng)氧化物半導體因高局域態(tài)價帶頂和自補償效應(yīng)，導致空穴傳輸效率極差，難以滿足應(yīng)用需求。

　　科研人員因此投入大量精力開發(fā)新型非氧化物P型半導體，但目前這些新材料只能在多晶態(tài)下展現(xiàn)一定的P型特性。此外，這些材料還存在穩(wěn)定性和均勻性等固有缺陷，且難以與現(xiàn)有工業(yè)制程工藝兼容。

　　在過去二十余年里，全球科研人員不斷改進和優(yōu)化“價帶軌道雜化理論”，嘗試實現(xiàn)高空穴遷移率的P型氧化物基半導體，但收效甚微。這也導致專家普遍認為，實現(xiàn)高性能的非晶P型半導體和CMOS器件是一項“幾乎不可能完成的挑戰(zhàn)”。

　　鑒于此，中韓科研團隊提出了一種新穎的碲(Te)基復合非晶P型半導體設(shè)計理念，并采用工業(yè)制程兼容的熱蒸鍍工藝實現(xiàn)了薄膜的低溫制備，證明了在高性能、穩(wěn)定的P溝道TFT器件和CMOS互補電路中的應(yīng)用可行性。這項研究將開啟P型半導體器件的研究熱潮，并在建立商業(yè)上可行的非晶P溝道TFT技術(shù)和低功耗CMOS集成器件邁出了重要的一步。(完)